| 一 : |
此型濺鍍機可否採用圓筒型target與cathode，cathode的製造商有哪幾家可選擇，靶材 |
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尺寸是多少？ |
| 答 : |
可以採用圓筒型，有3家可以選擇，靶材尺寸為O.D16.6mmm*I.D13.3mm*700mm， |
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而使用RF Power(MgF2)的磁控源，不能使用圓筒型需採用平面型。 |
| 二 : |
Cr/Mo Process chamber內cathode增為3個，ZnO/AZO/MgF2 chamber維持在3個， |
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但ZnO/AZO/MgF2chamber內MgF2鍍膜與AZO是否有汙染問題？ |
| 答 : |
可以使用隔絕板或buffer區設計來防止污染。 |
| 三 : |
貴公司的MgF2鍍膜採用何種方式？ |
| 答 : |
使用RF Power方式。 |
| 四 : |
鍍膜驗收Uniformity 可否達到≦3%？ |
| 答 : |
可以的，不過要求小於3%會和靶材的製作有關，例如密度，金屬的平均晶粒粒徑大小， |
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陶瓷靶的粉徑大小等 |
| 五 : |
黃銅、,磷青銅、,spcc適合真空溫度為何?超過或不及這個溫度時會有何影響？ |
| 答 : |
(1) 一般金屬成膜溫度為150-180度。不過還是要以產品的製程需求來做決定。 |
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(2) 電性、附著性、薄膜應力、結構性缺陷的影響。一般功能性鍍膜注著重的為電性和附著性 |
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，如果有要做蝕刻才要注著後者。 |
| 六 : |
蒸鍍、濺鍍、ARC三種方法我要選用其中一種，其依據為何？比方說我要用ARC， |
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那這個製程的優勢為何？是不是根據附著力、成膜速率，成本等等來考量？ |
| 答 : |
ARC一般都是鍍製硬化性厚膜才會使用，若只要鍍金屬薄膜使用蒸鍍和濺鍍就可以了。 |
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至於要使用那一種製程可以先依你要鍍的薄膜種類(功能性薄膜、硬化膜、光學薄膜、 |
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透明導電薄膜、裝飾鍍膜、金屬鍍膜或其它)、製程需求、產品的特性種類(玻璃、塑膠基材、 |
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平板、曲面)、薄膜品質要求、產能、成本來決定。 |
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